Modern Warfare 3: data de lançamento confirmada e melhorias na engine

O mais recente vídeo de jogabilidade de Call of Duty: Modern Warfare 3 confirmou os boatos: o game chegará às lojas americanas no dia 8 de novembro de 2011. De acordo com Eric Hirshberg, presidente da publicadora Activision, “o nível de polimento e criatividade [do game] levará todo o gênero [FPS] adiante.”

De acordo com Robert Bowling, diretor criativo da Infinity Ward, o motor gráfico utilizado no título é uma grande melhoria em relação ao game antecessor. A engine IW, utilizada nos últimos FPSs da empresa, é alvo de críticas da imprensa especializada devido à falta de novidades vistas de um game para o outro. Apesar de não ter dado mais informações sobre as novidades, o representante afirmou que isso está prestes a mudar.

RRAM: a memória ultraveloz que está vindo para ficar

Saiba mais sobre o desenvolvimento da memória que promete revolucionar o mundo dos smartphones e computadores.

A indústria dos eletrônicos está em constante evolução. É comum vermos dispositivos cada vez menores e com mais poder de fogo sendo lançados. Mas a evolução também acontece dentro desses dispositivos, com os pequenos componentes que os formam. O problema é que, com o passar do tempo, os cientistas e engenheiros esbarram em limitações físicas desses componentes e, então, algo novo precisa ser pensado para substituir a tecnologia antiga. Afinal, o progresso não pode parar.

Desta vez, a indústria está se mobilizando para criar um novo tipo de memória, a Resistive Random-Access Memory (RRAM), como vem sendo chamada. Essa será uma memória não volátil, ou seja, os dados armazenados não serão apagados quando o computador for reinicializado, por exemplo.

Além disso, a RRAM oferece vantagens capazes de torná-la não apenas a substituta da memória Flash, mas também uma espécie de memória universal, combinando os benefícios da DRAM, a velocidade da SRAM e a não volatilidade da Flash.

Como funciona a RRAM?

Fotografia miscroscópica de um elemento RRAM feito de Óxido de Háfnio (Fonte da imagem: Imec)

Apontada como a candidata mais forte a substituir o modelo atual de memória de acesso randômico (RAM), a RRAM acabou criando uma espécie de corrida entre as empresas interessadas em lançar produtos com essa tecnologia. Por enquanto, as apostas dizem que teremos os primeiros chips de memória RRAM sendo produzidos entre 2012 e 2013.

A principal inovação desse tipo de memória se dá pela forma de armazenamento de dados. A memória RAM guarda os dados por meio de cargas elétricas. Dessa forma, quando a carga é cortada, ou seja, quando o computador é desligado, os dados são perdidos.

A RRAM opera de maneira diferente. A memória tem sido construída com base em materiais cujas resistividades podem ser alteradas para estados de alta e baixa condutividade. É a resistência desses materiais que guarda o estado do bit na memória, e o fato de o estado dessa resistividade não se alterar quando o computador é desligado torna a memória RRAM não volátil.

Ainda não há um consenso sobre qual é o melhor material para ser utilizado na fabricação da RAM resistiva. O Imec, laboratório belga responsável pelo programa de desenvolvimento da RRAM, acredita que a melhor alternativa são óxidos de metal e, no momento, os pesquisadores estão investigando materiais que sejam também compatíveis com o CMOS. Por enquanto, os materiais mais cotados têm sido o óxido de níquel (NiO) e o óxido de háfnio (HfO).

Vantagens da RRAM

As empresas que apostam na RRAM repetem sempre o mesmo discurso: a nova memória será capaz de operar a uma velocidade maior e com um consumo menor de energia. Mas como isso é possível?

Barra de cristal de Háfnio (Fonte da imagem: Wikimedia Commons)

A resposta para a questão da velocidade está no óxido de háfnio. Ao usar o composto como isolante no lugar do dióxido de silício, a pesquisadora Päivi Törmä, da Universidade de Tecnologia de Helsinki, obteve um ganho de velocidade surpreendente. O acesso à memória, que antes demorava alguns milissegundos, passou a ser executado em apenas 100 nanossegundos, aumentando assim a velocidade de leitura e de escrita em até 100 mil vezes.

Comparada com a memória Flash, a RRAM também exige uma voltagem menor para ser usada, ou seja, para ler e gravar dados em seu interior. Graças a isso, a nova memória deve ser uma boa opção para dispositivos com poucos recursos, além de proporcionar maior economia de energia.

Como já abordado anteriormente, uma das grandes capacidades da RRAM é a possibilidade de construção de chips cada vez menores. Enquanto a DRAM e a Memória Flash podem chegar ao limite de 18 nanômetros, a memória à base de óxido de metal pode ultrapassar a barreira dos 16 nanômetros.

A quantas anda o desenvolvimento da RRAM?

Atualmente, existem pelo menos seis empresas interessadas no mercado de RRAM. Entre elas está a Samsung, que declarou recentemente a intenção de começar a fabricação em massa dessas memórias logo no primeiro semestre de 2012.

A HP é outra empresa que tem investido pesado na fabricação da memória do futuro. Inspirada pela teoria do professor Leon O. Chua, da Universidade da Califórnia, a companhia implementou, em 2008, o memristor, que funciona de maneira análoga ao chip de RRAM explicado neste artigo. Entretanto, o material escolhido pela HP foi o dióxido de titânio.

Circuito com 17 memristors capturado por microscópio atômico (Fonte da imagem: IEEE Spectrum)

Na prática, a empresa afirma, por meio de seu blog, que os memristors possibilitarão o desenvolvimento de smartphones e laptops com boot mais rápido e com duração maior da carga da bateria. Também podemos esperar por dispositivos cada vez mais finos e mais potentes. A HP acredita que as primeiras memórias RRAM chegarão ao mercado em meados de 2013.

Outro grande avanço feito pela HP foi constatar que o memristor é capaz não apenas de armazenar dados, mas também de realizar operações lógicas. Isso significa que, no futuro, esse tipo de memória pode acabar substituindo até mesmo os processadores, mantendo armazenamento e processamento no mesmo chip.

Ao romper essa barreira, teríamos dispositivos com ainda mais velocidade e economia de energia. A principal causa é o fato de que os dados teriam que percorrer distâncias menores, pois memória e processador estariam no mesmo chip.

Além disso, os memristors também poderão ser usados em aplicações de inteligência artificial. Engenheiros da Universidade de Michigan, por exemplo, já usaram a tecnologia para construir um computador baseado no cérebro de gatos.

Só nos resta esperar para ver quem ganhará a corrida da memória RAM resistiva.

Slavisa Pajkic: conheça o surpreendente Homem Bateria

Defeito genético faz com que a eletricidade flua pela pele do sérvio, que atua como um isolante natural.

• O sérvio Slavisa Pajkic, conhecido como Homem Bateria (ou Biba, para os amigos íntimos), surpreende pela resistência à eletricidade. Enquanto para um ser humano normal voltagens acima de 50 volts representam um risco à vida, para ele isso não passa de uma simples brincadeira.

  Em 1983, o Homem Bateria estabeleceu seu primeiro recorde no Livro Guinness ao receber em seu corpo uma voltagem de 20 mil volts sem nenhum problema. Em 2003, foi registrado no livro pela segunda vez, quando conseguiu usar a eletricidade armazenada em seu corpo para aquecer um copo de água até 97º Celsius em 1 minuto e 37 segundos.

  Segundo Pajkic, seu corpo é capaz de atuar como um isolante, condutor ou acumulador de energia elétrica, além de servir como uma forma de conter calor para os mais diversos usos. O sérvio demonstra suas habilidades das mais diferentes formas, seja acendendo uma lâmpada, cozinhando uma salsicha ou iniciando a combustão de materiais embebidos em álcool.

  Defeito genético

  Embora nenhuma experiência tenha sido capaz de determinar a fonte exata dos poderes condutores do Homem Bateria, análises mostram que isso pode ser causado por um defeito genético. Pajkic não possui glândulas sudoríparas nem salivares, além de possuir duas camadas de pele a menos do que uma pessoa comum.

  (Fonte da imagem: OddityCentral)

  Devido a tais características, cientistas suspeitam de que a eletricidade não passe por dentro de seu corpo, mas sim por fora de sua pele, que atua como um isolante natural. Porém, isso também significa problemas para o sérvio, que precisa evitar temperaturas altas e não pode ser exposto ao sol durante muito tempo, já que seu corpo não possui recursos capazes de eliminar o excesso de calor acumulado.

  Enquanto permanecem os mistérios quanto às origens de seu poder, o Homem Bateria viaja pelo mundo exibindo suas habilidades em programas de variedade e ajudando pessoas com problemas de enxaqueca e sinusite. Pajkic afirma que seus planos futuros envolvem o estabelecimento de um terceiro recorde mundial, no qual pretende usar uma carga de 1 milhão de volts para atirar lasers através de seus dedos.